Artikelnummer: 131489
EVERLIGHT Doppel-Fototransistor PT5529B; NPN; Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse;
0,13 €*
inkl. MwSt. zzgl. Versand
sofort lieferbar, Lieferzeit 2-5 Werktage
Top-Features:
- Doppel-Fototransistor PT5529B von EVERLIGHT
- NPN-Transistor mit gemeinsamen Kollektor
- Wellenlänge 400-940-1100 nm
- Empfindlichkeit 0,13 … 1,1 mA @ 0,555 mW/cm²
- VCE max. 30V mA, VEC max. 5V
EVERLIGHT Fototransistor PT908-7C; NPN; Tageslicht und Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse;
Artikelnummer: 131488
sofort lieferbar, Lieferzeit 2-5 Werktage
- Sale
%
EVERLIGHT Fototransistor PT204-6C; NPN; Tageslicht und Infrarot; 3 mm rund;
Artikelnummer: 131487
sofort lieferbar, Lieferzeit 2-5 Werktage
EVERLIGHT Fototransistor PT333-3C; Tageslicht und Infrarot; 5 mm rund;
Artikelnummer: 131490
sofort lieferbar, Lieferzeit 2-5 Werktage
- Sale
- Sonderposten
%
Hochspannungs-Leistungstransistor mit Damper-Diode BUH515D
Artikelnummer: 131452
sofort lieferbar, Lieferzeit 2-5 Werktage
CDIL Transistor, Kleinsignal, BC550C
Artikelnummer: 131086
sofort lieferbar, Lieferzeit 2-5 Werktage
Transistor BC337-25, NPN, 45 V, 0,8 A, TO92
Artikelnummer: 130327
sofort lieferbar, Lieferzeit 2-5 Werktage
- Sale
%
DIOTEC Transistor, Kleinsignal, BC557C-BK
Artikelnummer: 131085
sofort lieferbar, Lieferzeit 2-5 Werktage
CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, BC547A, TO-92, NPN
Artikelnummer: 131534
sofort lieferbar, Lieferzeit 2-5 Werktage
Transistor BC548B, NPN, 30 V, 0,5 A, TO92
Artikelnummer: 130110
sofort lieferbar, Lieferzeit 2-5 Werktage
- Sale
%
Transistor BC327-25, PNP, 45 V, 0,8 A, TO92
Artikelnummer: 130008
sofort lieferbar, Lieferzeit 2-5 Werktage
- Sale
%
Produktinformationen "EVERLIGHT Doppel-Fototransistor PT5529B; NPN; Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse; "
Schneller, empfindlicher Doppel-Fototransistor mit gemeinsamen Kollektor; im schwarzen Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.
Technische Daten:
- Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm
- Empfindlichkeit: 0,13 … 1,1 mA @ 0,555 mW/cm², VCE= 5V
- Öffnungswinkel: k. A.
- VCE max.: 30V mA
- VEC max.: 5 V
- IC max.: 20 mA
- IC off: 100 nA @ Vce=20 V
- tr: 15 µsec
- tf: 15 µsec
- PVmax: 75 mW @ 25 °C
- Temp. Bereich: -25 … 85 °C
- Gehäuse: 4,5 x 4,8 x 2,8 mm mit Seitenlinse 1,5 mm
- Montage: THT
Verfügbare Downloads
| Farbe: | schwarz-silber |
|---|---|
| Menge: | 1 St. |
| Transistortyp: | NPN |