Artikelnummer: 131489
EVERLIGHT Doppel-Fototransistor PT5529B; NPN; Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse;
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Top-Features:
- Doppel-Fototransistor PT5529B von EVERLIGHT
- NPN-Transistor mit gemeinsamen Kollektor
- Wellenlänge 400-940-1100 nm
- Empfindlichkeit 0,13 … 1,1 mA @ 0,555 mW/cm²
- VCE max. 30V mA, VEC max. 5V
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Produktinformationen "EVERLIGHT Doppel-Fototransistor PT5529B; NPN; Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse; "
Schneller, empfindlicher Doppel-Fototransistor mit gemeinsamen Kollektor; im schwarzen Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.
Technische Daten:
- Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm
- Empfindlichkeit: 0,13 … 1,1 mA @ 0,555 mW/cm², VCE= 5V
- Öffnungswinkel: k. A.
- VCE max.: 30V mA
- VEC max.: 5 V
- IC max.: 20 mA
- IC off: 100 nA @ Vce=20 V
- tr: 15 µsec
- tf: 15 µsec
- PVmax: 75 mW @ 25 °C
- Temp. Bereich: -25 … 85 °C
- Gehäuse: 4,5 x 4,8 x 2,8 mm mit Seitenlinse 1,5 mm
- Montage: THT
Verfügbare Downloads
| Farbe: | schwarz-silber |
|---|---|
| Menge: | 1 St. |
| Transistortyp: | NPN |
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Angaben zum Hersteller (Informationspflichten zur GPSR Produktsicherheitsverordnung)
Everlight Europe GmbH, Siemensallee 84, 76187 Karlsruhe, DE, www.everlighteurope.com
Angaben zur verantwortlichen Person (Informationspflichten zur GPSR Produktsicherheitsverordnung)
Everlight Europe GmbH, Siemensallee 83, 76187 Karlsruhe, DE, www.everlighteurope.com