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Artikelnummer: 131486

EVERLIGHT Fototransistor PT204-6B; NPN; Infrarot; 3 mm rund;

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Fotodiode, IR-Empfängerdiode, Ø 5 mm, 700-1200 nm
Fotodiode, IR-Empfängerdiode, Ø 5 mm, 700-1200 nm
Artikelnummer: 121752
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SANKEN IR-LED SID1050M
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Artikelnummer: 120038
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EVERLIGHT Fototransistor PT204-6C; NPN; Tageslicht und Infrarot; 3 mm rund;
EVERLIGHT Fototransistor PT204-6C; NPN; Tageslicht und Infrarot; 3 mm rund;
Artikelnummer: 131487
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    EVERLIGHT Fototransistor PT333-3C; Tageslicht und Infrarot; 5 mm rund;
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    Artikelnummer: 131490
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    CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, PN2222A, TO-92, NPN
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    Artikelnummer: 131527
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    ON SEMICONDUCTOR Transistor, Kleinsignal, BC547BBU
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    Artikelnummer: 131479
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    DIOTEC Transistor, Kleinsignal, BC557C-BK
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    Artikelnummer: 131085
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    INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF540NBBF
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    Artikelnummer: 131117
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    Transistor, BSW65
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    Artikelnummer: 130138
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    Power-MOSFET IRF9622
    Power-MOSFET IRF9622
    Artikelnummer: 130754
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      CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, BC547A, TO-92, NPN
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      Artikelnummer: 131534
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      INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF3205PBF
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      Artikelnummer: 131239
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      MOSFET BS170
      MOSFET BS170
      Artikelnummer: 130268
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        Leistungstransistor 2N3055
        Leistungstransistor 2N3055
        Artikelnummer: 130056
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        CDIL Transistor, Kleinsign, BC547C
        CDIL Transistor, Kleinsign, BC547C
        Artikelnummer: 131500
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        Transistor; Leistung, TBD139.16
        Transistor BD139-16, NPN, 80 V, 1,5 A
        Artikelnummer: 131093
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        Produktinformationen "EVERLIGHT Fototransistor PT204-6B; NPN; Infrarot; 3 mm rund; "
        Schneller, empfindlicher Infrarot Fototransistor im Tageslicht-gefilterten schwarzen Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.

        Technische Daten:

        • Wellenlänge (50%-max-50%): 760-940-1100 nm
        • Empfindlichkeit: 0,7 … 5,07 mA @ 1 mW/cm²; VCE= 5 V
        • Öffnungswinkel: k. A.
        • VCE max: 30 V
        • VEC max: 5 V
        • IC max: 20 mA
        • IC off: 100 nA @ VCE=20 V
        • tr: 15 µsec
        • tf: 15 µsec
        • PV max: 75 mW @ 25 °C
        • Temp. Bereich: -25 … 85 °C
        • Gehäuseform: T-1
        • Montage : THT

        Verfügbare Downloads

        Farbe: schwarz-silber
        Menge: 1 St.
        Transistortyp: NPN

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