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Top-Features:
- 600V max. Drain-Source Voltage (Vds)
- 0,32A max. Continuous Drain Current at Ta 25°
- 4,4Ω max. Drain-Source On-Resistance (Rds on)
- 2V min. Gate Threshold Voltage (Vgs th)
- 10ns Turn On Delay Time (td on)
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF630NPBF
Produktnummer:
131227
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ON Semiconductor, Transistor, MJH6284, NPN, THT
Produktnummer:
131545
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Transistor BC337-25, NPN, 45 V, 0,8 A, TO92
Produktnummer:
130327
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CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, PN2222A, TO-92, NPN
Produktnummer:
131527
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Transistor BC546B, NPN, 65 V, 0,1 A, 0,5 W, TO92
Produktnummer:
130651
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Produktinformationen "IRFDC20PBF Power MOSFET"
Leistungs-MOSFET im HVMDIP- Gehäuse.
Technische Daten:
- max. Drain-Source Voltage (Vds): 600 V
- max. Continuous Drain Current at Ta 25°: 0,32 A
- max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 4,4 Ω
- min. Gate Threshold Voltage (Vgs th): 2 V
- Turn On Delay Time (td on): 10 ns
- Turn Off Delay Time (td off): 30 ns
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