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Artikelnummer: 141022

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD5S10AH

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S10AH
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Schottky-Diode 1N5822, 3 A/40 V
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Diode 1N4007, axial
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    MBR 2560 CT, Schottkydiode, 60 V, 30 A (2x15A), TO220
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    Dioden 1N4007G, Packung mit 10 Stück
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    Artikelnummer: 140727
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      Schottky-Diode 1N5819
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      Artikelnummer: 140731
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      BAT 46 Schottky Diode 100 V, 0,15 A
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      Artikelnummer: 140856
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        DIOTEC Suppressordiode / TVS-Diode, P6KE6.8CA, Bidirektional, Sperrspannung 5,8, Durchlassstrom 60
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        Artikelnummer: 140971
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        Diode RS8DT
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        Artikelnummer: 140801
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        Dioden, 1N4003, 1 A, 200 V, 10 Stück
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        Artikelnummer: 140297
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        TAIWAN SEMICONDUCTOR Diode 1N4148, axial
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        Artikelnummer: 140021
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        Dioden, 1N4004, 1 A, 400 V, 10 Stück
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        Artikelnummer: 140298
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        Diode, 1N4004, 1 A, 400 V
        Diode, 1N4004, 1 A, 400 V
        Artikelnummer: 140018
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        Produktinformationen "TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD5S10AH"
        Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.

        Technische Daten:

        • Arbeitsspannung: 10 V
        • Breakdown-Spannung min/max: 11,1/12,3 V
        • Peak Pulse Power Pppm: 3600 W
        • Peak Pulse Current Ipp: 212 A
        • Peak Forward Voltage: 2,0 V
        • Clamping Voltage @ Ippm: 17,0 V

        Verfügbare Downloads

        Dioden-Typ: TVS-Diode
        Farbe: schwarz
        Menge: 1 St.
        Nennspannung max.: 10 V

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