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Artikelnummer: 141003

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S33AH

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    Top-Features:
    • Arbeitsspannung: 33 V
    • Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V
    • Hochleistungs-TVS-Diode
    • DO-218AB-Gehäuse
    • Peak Pulse Power 6600 W

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    Artikelnummer: 140020
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    Diode RS8DT
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    Artikelnummer: 140801
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    Schottky-Diode 1N5819
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    Artikelnummer: 140731
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    Produktinformationen "TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S33AH"
    Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.

    Technische Daten:

    • Arbeitsspannung: 33 V
    • Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V
    • Peak Pulse Power Pppm: 6600 W
    • Peak Pulse Current Ipp: 124 A
    • Peak Forward Voltage: 1,8 V
    • Clamping Voltage @ Ippm: 53,3 V

    Verfügbare Downloads

    Dioden-Typ: TVS-Diode
    Farbe: schwarz
    Menge: 1 St.
    Nennspannung max.: 33 V
    Zustand: Neu

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