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Artikelnummer: 141003

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S33AH

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    Top-Features:
    • Arbeitsspannung: 33 V
    • Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V
    • Hochleistungs-TVS-Diode
    • DO-218AB-Gehäuse
    • Peak Pulse Power 6600 W

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      Produktinformationen "TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S33AH"
      Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.

      Technische Daten:

      • Arbeitsspannung: 33 V
      • Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V
      • Peak Pulse Power Pppm: 6600 W
      • Peak Pulse Current Ipp: 124 A
      • Peak Forward Voltage: 1,8 V
      • Clamping Voltage @ Ippm: 53,3 V

      Verfügbare Downloads

      Dioden-Typ: TVS-Diode
      Farbe: schwarz
      Menge: 1 St.
      Nennspannung max.: 33 V
      Zustand: Neu

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