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Artikelnummer: 141003

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S33AH

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    Top-Features:
    • Arbeitsspannung: 33 V
    • Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V
    • Hochleistungs-TVS-Diode
    • DO-218AB-Gehäuse
    • Peak Pulse Power 6600 W
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    Artikelnummer: 141029
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    Artikelnummer: 141031
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    Artikelnummer: 141037
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    Schottky-Diode 1N5822, 3 A/40 V
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    Artikelnummer: 936059
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    Diode RS8DT
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    Artikelnummer: 140801
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    Diode, 1N4004, 1 A, 400 V
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    Artikelnummer: 140018
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      Schottky-Diode 1N5819
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      Artikelnummer: 140731
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      Dioden, 1N4003, 1 A, 200 V, 10 Stück
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      Artikelnummer: 140297
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        MBR 2560 CT, Schottkydiode, 60 V, 30 A (2x15A), TO220
        MBR 2560 CT, Schottkydiode, 60 V, 30 A (2x15A), TO220
        Artikelnummer: 140873
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          DIOTEC Suppressordiode / TVS-Diode, P6KE6.8CA, Bidirektional, Sperrspannung 5,8, Durchlassstrom 60
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          Artikelnummer: 140971
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          Diode 1N4007, axial
          Diode 1N4007, axial
          Artikelnummer: 140020
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          Dioden, 1N4004, 1 A, 400 V, 10 Stück
          Dioden, 1N4004, 1 A, 400 V, 10 Stück
          Artikelnummer: 140298
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          BAT 46 Schottky Diode 100 V, 0,15 A
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          Artikelnummer: 140856
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          TAIWAN SEMICONDUCTOR Diode 1N4148, axial
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          Artikelnummer: 140021
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          Dioden 1N4007G, Packung mit 10 Stück
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          Artikelnummer: 140727
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          Produktinformationen "TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S33AH"
          Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.

          Technische Daten:

          • Arbeitsspannung: 33 V
          • Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V
          • Peak Pulse Power Pppm: 6600 W
          • Peak Pulse Current Ipp: 124 A
          • Peak Forward Voltage: 1,8 V
          • Clamping Voltage @ Ippm: 53,3 V

          Verfügbare Downloads

          Dioden-Typ: TVS-Diode
          Farbe: schwarz
          Menge: 1 St.
          Nennspannung max.: 33 V

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